SICma System
SiCma系统专为通过物理气象传输(PVT)的方式生产碳化硅晶体而开发。在此过程中,粉末状的原材料在高温下被加热和升华,最后沉积在特定准备的基片上。这项工艺将通过使用一个感应线圈在千赫兹范围内完成加热。随着全球工业领域环保意识的提高,PVA TePla也紧跟时代步伐,通过对该感应线圈进行优化设计以实现低能源消耗。
可使用的籽晶片尺寸为直径100至150毫米(4” – 6”)。鉴于该系统的高度自动化和紧凑设计(较小的占地面积),可以实现该系统的生产规模最大化。此外,还有一个用于装载和卸载设备的移动系统,以及众多可以在模块基础上添加的选项,例如,真空泵和测量设备。
产品数据概览 :
最大晶体直径: | 6" |
4英寸石英管的内径加工室: | 286 mm |
4英寸石英管的内径加工室: | 378 mm |
频率: | 6 - 10 kHz |