产品介绍
     
 真空炉
* COD 石墨加热真空压力烧结炉
* COV 石墨加热真空热处理/烧结炉
* MOV 金属加热真空扩散焊炉
* MOV 金属加热真空热处理炉
* IOV 感应加热真空热处理炉
* VSG 感应加热熔炼和浇铸炉
* MIM 金属注射成型脱蜡烧结炉
 晶体生长炉
* 半导体单晶硅拉晶炉
* 半导体单晶硅区熔炉
* VGF 太阳能多晶硅铸锭炉
* 化合物半导体多晶铸锭炉
 等离子体设备
* 射频等离子体系统 M4L
* 射频等离子系统 7200
* 射频等离子体系统 9200
* 等离子体笔



9200
射频等离子体系统

光刻胶去除和晶片清洁系统

传统石英舟设计 

200mm以上的晶片处理能力

专利的刻蚀通道使工件损伤最小 

Windows触摸屏界面

射频等离子体系统9200是一种筒式批量剥离清洁系统,它可用在去除光刻胶,氮化物刻蚀,或半导体和MEMS行业的其它清洁,并具有可选的高温工作功能。该系统基于过去20多年来已证实的反应器的设计发展而成,现在全世界有上百台这种设备应用在晶片处理中。 

特点: 

● 彩色触摸屏界面 

● 光学末端检测 

● 很少产生颗粒的反应中心 

● 内置数据记录系统 

● 自选远程工艺监测 

● 穿墙式安装有利于从后部对设备进行维护。

  技术参数
晶片尺寸 可达200mm
生产率 可达60(片/小时)
批处理量 每次装载50片晶片
晶片装载方式 手工晶片装载
等离子体室 石英材料,适合氟化化学品。外接电极。
射频电源 风冷
频率

输出功率

13.56 MHz

0-1000 W(标准)

0-1000 W 水冷(选项)

工艺气体 标准2通路,可选4通路

1/4〞VCR 接口

真空系统  
连接方式

工艺气体控制

基础压强

工艺压强

抽空时间

真空计

放气时间

KF40

2路质量流量控制器(MFCˊs),最多可达4路。

大约50 mtorr

大约120-2000mtorr

大约1分钟或时间可调的慢抽模式

电偶真空计,量程到10-3torr,可选电容计。

快速或时间可调的缓慢模式

系统控制 彩色LCD触摸屏界面,薄膜键盘,前后主电源开关,前后急停开关。锁定标记功能。
程序系统 Windows系统软件包,手工或自动操作。

大容量存储

64步工艺

安全连锁装置

用户自定义错误信息

三个级别的口令保护程序

以太网配置的远程控制器

温度监控 工艺室内置石英保护热电偶
终端检测 光学
电源配置  
电源

工艺气体

清洗用气体

压缩空气

208-240V,三相,50/60Hz,30A, 5芯线

1/4〞VCR接头,输入压力1-2bar/30PSI

1/4〞Swagelok接头,输入压力1-2bar/30PSI

1/4〞Swagelok接头,输入压力5bar/75PSI

外形规格  
尺寸

重量

680×1210×1000 mm / 27〞×47.75〞×35.5〞

332kg/730 lbs

   

 

 

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