产品介绍
     
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* COD 石墨加热真空压力烧结炉
* COV 石墨加热真空热处理/烧结炉
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* MOV 金属加热真空热处理炉
* IOV 感应加热真空热处理炉
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* MIM 金属注射成型脱蜡烧结炉
 晶体生长炉
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* 半导体单晶硅区熔炉
* VGF 太阳能多晶硅铸锭炉
* 化合物半导体多晶铸锭炉
 等离子体设备
* 射频等离子体系统 M4L
* 射频等离子系统 7200
* 射频等离子体系统 9200
* 等离子体笔



7200
射频等离子体系统

普通用途的等离子体清洗/表面改性系统 

● 表面改性 

● 低成本 

● 精确清洗 

● 运转可靠 

● 等离子体沉积涂覆 

● 易维护 

● 多功能固定装置 

● 彩色触摸屏界面 

    等离子体系统7200是为普通用途的清洗和表面改性而设计的低压等离子体系统。 基体材料可以很容易的装在支架等地方。先进的电极设计保证了处理过程的均匀性。 

特点: 

● Windows彩色触摸屏控制 

● 用户可以在前端控制面板设计、更改、监控和检修等离子工艺。 

● 只需按下开始按钮就可以运行机器。

    7200系统具有非常好的性能特点,尤其是它的可靠性和安全性。最近的观点结合了最近的工作信息,以及根据在全世界工作的数百台设备的工作特点改进的控制系统。

  技术参数
操作腔  
材料

容积(标准)

容积(选项)

腔内尺寸(标准)

腔内尺寸(选项)

100L

135L

375×375×711mm / 14.76〞× 14.76〞× 28〞

375×375×965mm / 14.76〞× 14.76〞× 38〞

电极  
可拆卸五层料架

可拆卸七层料架

转筒篮

622×318mm(可选腔为876×318mm)

 

318 O.D. × 880Lmm

真空系统  
连接方式

工艺气体控制

基础压强

工艺压强

抽空时间

真空计

放气时间

KF40

2路质量流量控制器(MFCˊs),最多可达4路。

大约50 mtorr

大约120-2000mtorr

大约1分钟或时间可调的慢抽模式

电偶真空计,量程到10-3torr,可选电容计。

快速或时间可调的缓慢模式

射频电源 风冷
频率

输出功率

13.56 MHz

0-1000 W(标准)

0-1000 W 水冷(选项)

工艺控制 所有工艺变量都由计算机控制,包括内部统计和信息都显示在仪表盘上。自选压力控制器,温度监测器等。
系统控制 前后主电源开关,前后急停开关。显示锁定功能。
微处理器 LCD触摸屏,标准电脑键盘或条形码阅读器的键盘接口,打印机接口。
程序系统 Windows系统软件包,手工或自动操作。

大容量存储

64步工艺

安全连锁装置

用户自定义错误信息

三个级别的口令保护程序

以太网配置的远程控制器

电源配置  
电源

工艺气体

清洗用气体

压缩空气

110V或220V,单相,50/60Hz

1/4〞Swagelok connector,输入压力1-2bar/30PSI

1/4〞Swagelok connector,输入压力1-2bar/30PSI

1/4〞Swagelok connector,输入压力5bar/75PSI

外形规格  
尺寸

 

重量

635×1120×965mm / 25〞×44〞×38〞(标准)

635×1120×1120mm/25〞×44〞×48〞(选项)

335 kg/739 lbs

   

 

 

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