产品介绍
     
 真空炉
* COD 石墨加热真空压力烧结炉
* COV 石墨加热真空热处理/烧结炉
* MOV 金属加热真空扩散焊炉
* MOV 金属加热真空热处理炉
* IOV 感应加热真空热处理炉
* VSG 感应加热熔炼和浇铸炉
* MIM 金属注射成型脱蜡烧结炉
 晶体生长炉
* 半导体单晶硅拉晶炉
* 半导体单晶硅区熔炉
* VGF 太阳能多晶硅铸锭炉
* 化合物半导体多晶铸锭炉
 等离子体设备
* 射频等离子体系统 M4L
* 射频等离子系统 7200
* 射频等离子体系统 9200
* 等离子体笔



M4L
射频等离子体系统

● 精密清洗

● 表面改性:

  • 粘附性的提高

  • 涂层

  • 亲水性/憎水性

  • 分子移植

台式射频等离子体系统M4L具有先进的工艺和合理的价格优势。它很适合应用于实验室和制造多孔产品的工业。先进的工艺包括:

  • 所有等离子体参数都由计算机控制,完全的自动化操作。 

  • 安全报警系统 

  • 免维护简化的自诊断系统(包括真空泵和检漏仪) 

  • 所有的运行数据都被记录下来,用来进行过程控制统计。 

  • 提供的操作空间可容纳复杂的部件。 

  • 自选的功能有:计算机远程控制,后段压力控制,温度控制架等。

  技术参数
操作腔  
材料

容积

腔内尺寸

38L

229 × 230 × 508 mm / 9〞× 13〞× 20〞

电极  
  可拆卸三层料架

可拆卸五层料架

笼式电极

温控架

真空系统  
连接方式

工艺气体控制

基础压强

工艺压强

抽空时间

真空计

放气时间

KF40

2路质量流量控制器(MFCˊs),最多可达4路。

大约50 mtorr

大约120-2000mtorr

大约1分钟或时间可调的慢抽模式

电偶真空计,量程到10-3torr,可选电容计。

快速或时间可调的缓慢模式

射频电源 风冷
频率

输出功率

13.56 MHz

0-600 W(标准)

0-300 W(选项)

工艺控制 所有工艺变量都由计算机控制,包括内部统计和信息都显示在仪表盘上。自选压力控制器,温度监测器等。
微处理器 LCD触摸屏,标准电脑键盘或条形码阅读器的键盘接口,打印机接口。
程序系统 Windows系统软件包,手工或自动操作。

大容量存储

64步工艺

安全连锁装置

用户自定义错误信息

三个级别的口令保护程序

以太网配置的远程控制器

电源配置  
电源

工艺气体

清洗用气体

压缩空气

110V或220V,单相,50/60Hz

1/4〞Swagelok connector,输入压力1-2bar/30PSI

1/4〞Swagelok connector,输入压力1-2bar/30PSI

1/4〞Swagelok connector,输入压力5bar/75PSI

外形规格  
尺寸

重量

730×820×820 mm / 28.75〞× 32〞× 32〞

191kg/421 lbs

   

 

 

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