晶体生长系统分部
在德国阿斯拉的晶体生长系统有限责任公司（CGS）是PVA
TePla集团公司一个生产晶体生长设备的分部。其于1999年8月在德国哈瑙成立，是从莱宝系统有限责任公司的晶体生长部独立而来。
数十年来，CGS一直致力于设计和生产用于生产硅晶体的晶体生长设备，由于其技术的领先性，CGS公司是该领域中最重要的公司之一。
在丹麦Frederikssund的PVA TePla丹麦公司是从2004年五月开始PVA
TePla集团公司的另一个晶体生长系统分部。是从Haldor
Topsoe A/S的原floatzone分部独立而来。
PVA TePla丹麦公司的Floatzone技术发展几十年来，使用特别方法生长应用于功率电子学的超纯无氧硅水晶。
核心业务：用于晶圆生长的晶体提拉设备
超纯以及完美晶体结构的硅晶体是一条长长的价值链中的起点，没有硅晶体就没有半导体，光电子，通讯技术以及光电技术。硅晶体棒用于制作晶元，晶圆（硅片）是半导体工业中制作芯片的基础材料。
为了生产高质量的硅棒，需要有高度自动化的具有全面工艺技术的可靠的晶体生长设备，正如CGS和PVA
TePla丹麦公司数十年来已为客户提供的设备一样。
太阳能用硅材料的需求日益增长
超纯以及完美晶体结构的硅晶体在光电工业中的应用也变得越来越重要。光电行业目前的全球产能正在攀升。由于政府的各种支持，德国目前处于该领域的领导位置。
 硅和锗的生产系统（采用Czochralski程序）
采用 Czochralski方法生产硅和锗晶体时使用的拉晶设备。这类设备主要变化在于晶体的直径和长度，所有系统有它的共同特点：
·系统模块化结构无需多大变动即可应用于半导体硅，太阳能硅或锗的拉晶
·可为下一代晶片开发发展基本工艺过程
·高合金化的不锈钢双层壁炉和抛光的镜面表面使清洁简易
·简单的系统结构便于清洗和程序的设定
·炉与接收室之间有隔离阀，可在保持工艺温度的熔融状态下取出晶体
·高精度调节融池温度
·晶体驱动单元采用轴或电缆，使用无需维护马达和高精度速度控制单元直接驱动
·整个流程由可编程的逻辑控制器（PLC）和软件控制用于采集与分析流程数据，包括流程数据的图形在线显示和与先前流程比较的选件
·可添加任意元件，如用于稳定融池的磁铁，加料单元或控制融池高度的设备
化合物半导体晶体的新技术
在当今的信息爆炸时代，快速宽带数据传输正变得越来越重要。在光电子和高频领域，对低位错结构的化合物半导体材料的应用正在变得越来越多。
其中最常用的材料如砷化镓，磷化铟比起硅来说具有对光的耦合效应大3个量级的特点。另外，这些材料的导电性更好，从而可以制造高频晶闸管。这些化合物半导体用于无线通讯（例如UMTS网络），光纤网络，高亮度发光二极管以及激光电视等。
Czochralski工艺被公认为是目前已知的硅晶体生长的最佳工艺，尽管在以前常用于化合物半导体的生长，但事实上并不适合于化合物半导体的原料生长。
在和位于德国爱尔兰根的Fraunhofer研究所的合作中，
CGS开发了高压 VGF(垂直梯度结晶)设备，是世界上首台用于化合物半导体晶体生长的商业设备。在2003年上半年
VGF设备已正式面市。
锗化硅外延，一个前沿的新方法
锗化硅技术是卫星通讯，无限局域网和无线移动通讯等传输频率高达100GHz以上的模拟或数字信号的高速数据传输技术的基础，这些信号必须在几分之一秒内完成。
和传统的砷化镓技术相比，锗化硅技术的优势在于基于这种半导体的线路可以在同样的硅机体上和传统的CMOS线路结合制作成单块集成电路。所以这项技术可以集成到现有的生产线上，从而不必再进行昂贵的投资。另外锗化硅技术可以达到更高的集成度，从而使得更大规模集成度，包括对整个系统的单芯片解决方案
成为可能（所谓的“芯片上的系统”）
CGS生产的低压化学气象沉积设备（LPCVD）使得半导体工业可以实现低温外延，从而实现诸如精确的膜厚，成分和掺杂控制。该系统为立式反应装置，可以在一炉内对100片直径为200至300毫米的硅片进行处理。系统的模块化设计可以方便的添加新的部件以满足未来新工具的要求。
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